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科学技術交流財団が、第９回の「窒化物半導体応用研究会」を、10月29日に名古屋で開催する。

今回は、GaN系バルク結晶成長とGaN系デバイス応用について、その開発状況、応用技術に関する講演を行うもの。


窒化物半導体についてもっと知りたい、窒化物半導体を利用した製品を開発したい、窒化物半導体の応用に積極的に関わりたい、といった企業や大学の研究者などに参加を呼びかけている。

なお、参加費は無料（懇親会参加費3,000円）で、定員は200名となっている。

外部リンク

開催案内書
http://www.astf.or.jp/cluster/event/workshop/20101029/101029annai.pdf