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世界トップクラスの半導体メーカーとして持続可能性を追求する製品開発を行うSTマイクロエレクトロニクスは、太陽光発電システム用のコンバータにも役立てられる「650V耐圧IGBT・Mシリーズ」（以下 Mシリーズ）の販売を開始したことを発表した。

“第3世代トレンチゲート・フィールドストップ技術”が採用されているMシリーズは、P-N-P垂直型構造を特徴とした特殊設計による性能の大幅な向上と、最良の導通損失とスイッチオフ損失間のトレードオフを実現させるIGBTだ。

さらにアプリケーションの長寿命化と信頼性向上に寄与するキーポイントとして、接合部温度が150度の時に「6マイクロ秒」を記録する耐短絡時間と、最大175度まで耐えられる最大接合部動作温度範囲、それに比した幅広い安全動作領域が挙げられる。

「新世代フリーホイーリング・ダイオード」内包のパッケージとして提供されるMシリーズは、ファスト・リカバリへの最適化が約束され、低順方向電圧降下並びに逆回復特性が発揮される。

（画像はプレスリリースより）

外部リンク

STマイクロエレクトロニクス　プレスリリース（PR TIMES）
http://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000622.000001337.html

STマイクロエレクトロニクス
http://www.st-japan.co.jp/web/jp/home.html