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2016-03-16 12:00

太陽光発電

ルネサス、システムの電力効率向上に貢献する第8世代IGBTを開発

ルネサスエレクトロニクス
電力変換損失を抑える
ルネサス エレクトロニクス株式会社は、太陽光発電のパワーコンディショナや無停電電源装置のインバータ用途向けパワー半導体として、第8世代IGBT「G8Hシリーズ」を発売することを発表した。

業界最小レベルの電力損失
今回発売される第8世代IGBT「G8Hシリーズ」は、特に太陽光発電のパワーコンディショナや無停電電源装置に搭載されるインバータ回路に向けて作られており、業界最小レベルとなる電力損失を実現し、性能指数が第7世代IGBTと比較して最大30%改善されている。

他の特長としては、スイッチング時に発生するノイズが大幅に抑えられたことにより外付けゲート抵抗を削減可能となり、システムの小型化に貢献でき、高放熱性能のTO-247パッケージを採用や、175度の高温での動作保証により発熱の多い場所でも安心して使用できるとのことだ。

ラインアップは、650V/40A、50A、75Aと、1250V/25A、40A、75Aの6製品が用意されており、サンプル価格は650V/50Aの製品で1個330円、量産は2016年9月から開始予定となっている。

また、コンバータなどの昇圧回路においても「G8Hシリーズ」が高い性能を発揮することから、ルネサス エレクトロニクスでは、家電機器向けや産業用と向けにも展開していくとしている。

(画像はニュースリリースより)


外部リンク

ルネサス エレクトロニクス ニュースリリース
http://japan.renesas.com/press/news/2016/

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